质子轰击相关论文
散裂中子源利用荷能质子轰击重核后产生高通量中子,慢化器是调控中子的关键部件.此前国际上用铆钉铆接镉皮和铝合金部件,存在慢化......
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用高速质子轰击锂核得到如下的聚变反应rn73Li+11H→242He (1)rn若以m0(Li)、m0(H)及m0(He)分别表示Li、H及He核的静止质量,由于rn......
对1.5、3.7和7.4GeV质子轰击Pb或U/Pb靶释放中子的产额和空间分布进行了研究,对在加速器驱动次临界反应堆设计中的意义进行了讨论,对7.......
在以前一系列实验的基础上,研究了1.5GeV,3.7GeV和7.4GeV能量的质子轰击重金属靶时中子的释放情况。研究中采用两种靶材料,结果表明:铀靶的中子产额约是铅......
采用质子轰击 n- Ga P晶体作为外部电光采样材料 ,用倍频移相扫描电光采样技术和反射式光路结构 ,对 ITO共面波导上的微波信号进行......
在n-GaP衬底上制作共面波导(CPW),用质子轰击的方法减小共面波导的漏电损失,用倍频扫描移相电光采样技术测量了1~5GHz微波信号.质子轰击后GaPCPW的电阻增大了......
An electro-optic sampling system utilizing proton-bombarded GaP crystal as probe material has been built.Microwave signa......
在普通双沟平面掩埋异质结(DC-PBH)激光器的基础上,采用质子轰击的技术,制作了一种新型的选择性质子轰击DC-PHB激光器。这种新型的激光器结构与以前......
用0.4-3.OMeV质子轰击Dy和Ho靶,测得L-亚壳层的x-线产生截面。利用亚壳层荧光产额和Coster-Kronig跃迁几率的理论值,得到2S<sub>1/......
在n-GaP衬底上制作共面波导(CPW),用质子轰击的方法减小共面波导的漏电损失,用倍频扫描移相电光采样技术测量了1-5GHZ微波信号,质子轰击后GaPCPW的电阻增大了......
采用质子轰击n-GaP晶体作为外部电光采样材料,用倍频移相扫描电光采样技术和反射式光路结构,对ITO共面波导上的微波信号进行了测量,结果表明,用......
本文报道了一种工艺较简单的新结构垂直腔面发射激光器的设计与初步研制结果。所用的外延片是由分子束外延生长的,下镜面是由301/2对......
【《瑞士原子能协会通报》1995年第20期第9页报道】世界各国都在研究怎样使核反应堆中产生的常见的长寿命放射性产物在不增加能耗......
长波长InGaAsP量子阱激光器,以其低阈值、窄光谱线宽和高的调制频带宽等优良特性而成为大容量通信的基础。为此,我们利用低压MOVCD技术生长了1.62μm和......