记忆窗口相关论文
近年来,铁电存储器因具有低功耗、读写速度快、器件尺寸任意减小性和存储密度高等优点而得到广泛关注,其中金属／铁电／绝缘层／硅(MFIS)......
随着各种电子产品的快速发展，非易失性存储器在半导体行业中扮演着越来越重要的角色。然而当今市场的需求是一些传统存储器的性能所......
提出了一种浮栅结构的新型有机薄膜晶体管（FG—OTFT）器件，并阐述了这种器件的工作机理。该器件通过控制浮置栅上的电荷来控制FG-OTFF......
利用Atlas器件模拟软件,对MFIS结构器件的C-V特性及记忆窗口进行模拟。讨论了应用电压、绝缘层厚度及绝缘层材料等因素,对MFIS结构......
考虑历史电场效应,将描述铁电层矫顽电场分布的Preisach模型引入MFIS结构,和传统的MOS结构器件电荷薄片模型结合,对MFIS结构的C-V......
在过去半个世纪的时间里,以硅集成电路为核心的微电子技术取得了突飞猛进的发展。半导体芯片的集成度不断提高,伴随而来的是其基本......
本文基于聚苯乙烯磺酸(PSS)/硅(Si)界面的开关效应,采用溶胶-凝胶法、磁控溅射法和热蒸发法,制备了一种有机-无机杂化存储器.利用......
近年来随着信息技术的发展,非挥发性存储器成为研究的热点。其中铁电存储器以其读写速度快、操作电压低、功耗小等优点,成为最具潜......
