【摘 要】
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本文基于聚苯乙烯磺酸(PSS)/硅(Si)界面的开关效应,采用溶胶-凝胶法、磁控溅射法和热蒸发法,制备了一种有机-无机杂化存储器.利用安捷伦E4980A精密LCR表测量了C-V曲线和G-V曲
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本文基于聚苯乙烯磺酸(PSS)/硅(Si)界面的开关效应,采用溶胶-凝胶法、磁控溅射法和热蒸发法,制备了一种有机-无机杂化存储器.利用安捷伦E4980A精密LCR表测量了C-V曲线和G-V曲线,并重点研究了硅基片的导电类型、背部表面缺陷程度、PSS薄膜厚度、导电电极材料、电容器面积等因素对存储器记忆窗口宽度的影响.结果表明,衬底类型为P型,背面复合程度小,有机层厚度为300nm,无ITO.电容器直径为2mm时,得到的存储器的窗口电压最大.
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