芯片结温相关论文
随着GaN功率放大器向小型化、大功率发展，其热耗不断增加，散热问题已成为制约功率器件性能提升的重要因素。金刚石热导率高达2 000 W......
针对多芯片热阻矩阵的研究模型大多基于多芯片组件模型，多芯片为2D封装类型，而对3D芯片堆叠模型的热阻矩阵研究较少。以3D芯片堆叠模......
近年来,随着UV-LED的快速发展以其及系统功率的不断提升,散热问题成为阻碍其发展的重要因素.芯片结温升高引起UV-LED性能下降,为了......
发光二极管(LED)是一种新型高效固体光源,具有节能、环保和寿命长等特点,是未来照明的发展趋势。但是LED芯片容易过热的问题制约了......
解决大功率发光二极管(Light Emitting Diode,LED)的散热问题是提高LED封装可靠性的重要环节,其突破点就是对芯片热沉和基架材料及......
基于目前制造半导体的技术，LED输入功率中绝大多数的能量转化为热能，大约只有15％的能量转化为光能，因此必须提高LED的散热能力以保证LE......
LED封装、模组的质量水平,如光通量、坐标等光性能,与LED内部芯片的结温高低密切相关。一般LED结温高,则性能差。因此,对于LED芯片......
给出了一种应用于大功率LED散热的新型热管翅片散热器，该散热器能够有效利用自然风和垂直对流，建立了散热器结构模型，采用Icepak软件......
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通过红外热像仪测量Ga As功率放大器芯片的结温可知,温度最高点出现在芯片的栅条上,红外热像仪的放大倍数会导致芯片结温的差异性,......
