纳米硅量子点相关论文
硅基发光材料的制备与研究一直是人们关注的课题之一，因为这是实现硅基单片光电集成的关键和难点，迄今仍没有一个确定的解决方案[1]......
微电子学在当今新技术革命中占有核心地位，大规模集成电路的普遍使用既是微电子学发展的重要成果，也是其重要标志。然而随着器件尺寸......
近年来,随着多种硅基光子学器件相继研制成功和其性能的不断提高,硅基单片光电集成引起了国内外研究者的广泛重视与关注,并逐步成......
随着集成电路工艺的飞速发展,器件的特征尺寸在不断地减小,到2020年器件的特征尺寸将会下降到10nm,传统的集成电路工艺正面临着尺......
在过去的几十年里，微电子技术发展迅猛，到如今，它已成为当代计算机技术、通讯技术、自动控制技术等新兴技术的基础。随着微电子技术的......
在微电子器件逐渐过渡到纳电子器件的过程中，随着器件特征尺寸的不断缩小，基于纳米硅(nc-Si)量子点的浮置栅存储器由于具有工作电压......
硅(Si)是当今微电子工业与信息技术的基础材料，随着Si平面工艺技术的不断进步，应用于器件中的硅材料的尺寸也不断减小，进入了深亚微米......
用减压气相淀积法(LPCVD)，在二氧化硅以及石英基板上自组织形成了高密度的(10^11cm^-2)纳米尺寸的半球状硅单晶粒(硅量子点)，并进一......
随着半导体器件特征栅长的减小、隧穿氧化层厚度进入到纳米尺寸,传统的非挥发浮栅存储器(FG-NVMs)面临严峻的挑战。横向漏电流及量......
