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把GeC/GaP双层膜用作ZnS衬底的长波红外(8~11.5μm波段)增透保护膜系。采用射频磁控溅射法,以高纯Ar为工作气体、单晶GaP圆片为靶......
用磁控反应溅射 (RS)法制备出 Gex C1 - x薄膜 ,它的折射率可在 1 .6～ 4.0之间变化 .设计出不同厚度的 Gex C1 - x均匀增透膜系和非......
用磁控反应溅射（ＲＳ）法制备出ＧｅｘＣ１－ｘ薄膜，它的折射率可在１．６～４．０之间变化，设计出没厚度的ＧｅｘＣ１－ｘ均匀增透膜 非均匀增透膜系，并在ＺｎＳ基片上制备出ＧｅｘＣ１－ｘ均匀增膜系，设计结......
