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宽带隙半导体是现代短波长光电子技术发展的材料基础之一。对宽带隙半导体薄膜材料的制备研究和器件开发具有重要的应用价值。近十......
ZnO作为第三代的宽禁带半导体材料，因其在室温下约3.37eV的禁带宽度和高达60meV的激子结合能受到了广泛关注，被认为是有望取代GaN的......
有机发光二极管（OLED）在现代显示技术领域中因其不可比拟的优势而受到人们的广泛关注;同时,有机光伏（OPV）器件因成本低、工艺简单、易......
<正>0引言电晕放电和输变电外绝缘设备缺陷程度之间密切相关。在高压环境下,输变电外绝缘设备都存在一定程度的电晕放电现象,绝缘......
一、紫外日盲波段近年来随着碳化硅（SiC）材料制备技术的日趋成熟和成本的不断下降,利用这种新兴半导体材料制成的紫外探测器件得到了......
