稀磁半导体薄膜相关论文
本文使用脉冲激光沉积的方法首次成功地制备了锰掺杂锌砷基II-II-V族稀磁半导体(Ba,K)(Zn,Mn)2As2薄膜。薄膜的制备方法与物理性质的研......
ZnO基稀磁半导体是近年来发展起来的新型功能材料,是当前研究的热门课题.本文采用磁束缚电感耦合等离子体溅射沉积法制备了不同导......
稀磁半导体可同时利用电子的电荷和自旋两个自由度而有望用作新型电子信息材料器件,因此倍受人们的关注。本文采用溶胶-凝胶旋涂法......
近些年来,研究者已经对如何将自旋极化载流子引入到半导体中进行了大量的探索,人们不但对不同过渡族金属元素TM掺杂不同基底的稀磁半......
理论预言窄禁带稀磁半导体(Ga,Mn)Sb薄膜及其异质结构可能存在量子反常霍尔效应等新奇特性,近年来受到了特别关注。但是,由于(Ga,Mn)Sb......
ZnO作为一种重要的光电子材料,具有直接宽带隙(在300K,Eg为3.3eV)和高达60meV的激子束缚能,一直是人们的研究热点。近年来,自旋电子学......
在当今信息高速发展的时代,信息传输和存储仍然是通过传统的方法—分别控制电子的电荷和电子的自旋来实现。随着人们对信息量需求的......
随着人们对信息的需求量越来越大,传统的信息传输和存储技术已不能满足人们的需要,此时,集电子的电荷和自旋于一体的稀释磁性半导体材......
近年来,稀磁半导体(DMS)作为半导体自旋电子学的基础而受到广泛关注。研究者希望通过控制半导体中的电子自旋提高传统半导体技术,......
随着半导体技术的发展,半导体芯片中晶体管的特征尺寸从十几年前的0.35μm缩小为目前最先进的22nm,这使得芯片的集成度提高了成千上......
采用溶胶-凝胶法,在Si(100)和石英玻璃衬底上制备了3%Co掺杂CeO2稀磁氧化物薄膜,研究了不同退火温度(500℃,600℃和700℃)对薄膜结构和......
制备结构和物性可控的新型低维纳米材料是纳米技术的重要研究方向之一。通过控制纳米体系的形貌、晶体结构和尺寸来改善其性能并构......