稀磁半导体薄膜相关论文
本文使用脉冲激光沉积的方法首次成功地制备了锰掺杂锌砷基II-II-V族稀磁半导体（Ba,K）（Zn,Mn）2As2薄膜。薄膜的制备方法与物理性质的研......
稀磁半导体可同时利用电子的电荷和自旋两个自由度而有望用作新型电子信息材料器件，因此倍受人们的关注。本文采用溶胶-凝胶旋涂法......
近些年来，研究者已经对如何将自旋极化载流子引入到半导体中进行了大量的探索，人们不但对不同过渡族金属元素TM掺杂不同基底的稀磁半......
稀磁半导体（DMS）因兼具半导体和磁性的特点，即在同一种材料中同时应用电子自旋和电子电荷两种自由度，而受到广泛关注。同时，其作为自旋......
随着人们对信息的需求量越来越大，传统的信息传输和存储技术已不能满足人们的需要，此时，集电子的电荷和自旋于一体的稀释磁性半导体材......
近年来,稀磁半导体(DMS)作为半导体自旋电子学的基础而受到广泛关注。研究者希望通过控制半导体中的电子自旋提高传统半导体技术,......
随着半导体技术的发展，半导体芯片中晶体管的特征尺寸从十几年前的0.35μm缩小为目前最先进的22nm，这使得芯片的集成度提高了成千上......
采用溶胶-凝胶法,在Si（100）和石英玻璃衬底上制备了3%Co掺杂CeO2稀磁氧化物薄膜,研究了不同退火温度（500℃,600℃和700℃）对薄膜结构和......
