砷化镓铝相关论文
采用进口分子束外延设备生长了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量子阱和多量子阱材料。在理论分析和实验总结的基础上，对材料结构进行了优化，增加了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超晶格缓冲层来......
本文采用三角阱近似，计算了GaAs/AIGaAs二维电子气（2DEG）电子只占据基态子带时，由极性光学声子、声学形变势、声学压电势、远程电离杂......
在71－163K的不同稳定温度下，对GaAs-AIxGa1-xAs调制掺杂异质结构界面的光激发过剩电子的浓度，作了10^-5-10^3秒时间范围的瞬变测量。......
本文报道１０×１６元二维面阵ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱红外探测器的研究进展。通过表面光栅耦合，采用垂直入射的工作模式，在Ｔ＝８０Ｋ时探测率为２．９×１０＾１０ｃｍ．Ｈｚ＾１／２Ｗ，电压响应率......
本文首次报道了δ掺杂的赝形高电子迁移率晶体管结构（ＨＥＭＴｓ）Ａｌ０．３０Ｇａ０．７０Ａｓ／Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ／ＧａＡｓ中的傅里叶变换光致发光光谱，观察到了ｎ＝１电子子带和ｎ＝２电子子带到ｎ＝１重空穴子带的强发光......
研究了低温，平行磁场下两种ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ双量子阱的量子干涉特性。两种样品的阱宽均匀６０Ａ，但势垒层厚度不同，分别为１２０Ａ和２０Ａ。实验结果表明，样品的电导随磁场......
