电荷泵技术相关论文
本文主要围绕多晶硅薄膜晶体管(Thin Film Transistor, TFT)的电荷泵电流（CP:Charge Pumping）中几何电流(Igeo:geometric current)的......
随着CMOS工艺的发展,栅介质层厚度不断减薄,导致栅漏电流不断增大,这使传统测量界面态的方法应用受到限制。介绍了采用电荷泵技术......
1 引言便携音频应用中存在一个共同问题，即扬声器放大器的供电电压有限。这些音频系统通常采用锂离子（Li＋）电池供电，输出额定值为3．7V。......
本文以电荷泵技术为测量手段，结合数值计算，提出了一种新的测量面态横向分布的方法，与传统方法相比具有理论模型较完善，测量中不引入新......
多晶硅薄膜晶体管(TFT: Thin Film Transistor)在液晶显示中的广泛应用,使其越来越受到重视。但是,目前多晶硅TFT的表征方法还主要......
随着CMOS工艺的发展,栅介质层的厚度不断减薄,导致栅的泄漏电流不断增大,这使得传统测量界面态的C-V法受限,不适用于研究短沟道器......
金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的界面态影响器件的正常性能发挥。本文采用在合金制程中通入氢气的方法，并通过电荷泵（Charge ......
