热阻矩阵相关论文
针对多芯片热阻矩阵的研究模型大多基于多芯片组件模型，多芯片为2D封装类型，而对3D芯片堆叠模型的热阻矩阵研究较少。以3D芯片堆叠模......
高密度组装导致MCM芯片间热耦合效应增加,结温增加来自芯片自发热和热耦合效应。该文以调宽功放的多个功率管为研究对象,关注多芯......
半导体行业正朝着高集成度、小尺寸方向飞速发展,具有大规模、多芯片、3D立体化封装等优势的系统级封装(Si P)受到越来越多的关注......
虚拟衬底应变Si/SiGe异质结双极晶体管(heterojunction bipolar transistor，HBT)采用SiGe材料作为衬底，可有效降低衬底对基区SiGe外......
随着芯片封装密度急剧增加,传统封装技术已很难满足封装要求,系统级封装应运而生。系统级封装是封装技术和架构不断创新的综合体现......
以共阴极肖特基二极管为研究对象,开展单管芯热阻和双管芯热阻测试研究。通过对共阴极二极管的简单介绍,引入传统热阻测试、有限元......
给出热阻矩阵的表达式,研究三维单芯片多处理器（3D CMP,three-dimensional chip-multiprocessor）的温度特性,通过Matlab分析热容、热......
