漏电机制相关论文
立方结构EuTiO3(ETO)是一种在低温条件下同时拥有磁有序和电有序的多铁材料，表现为G型反铁磁序（尼尔温度为5.1K）和量子顺电序（温度70K......
随着计算机、通讯和网络技术领域的迅猛发展,以及对低损耗、高速度和大容量的追求,人们对器件集成化、小型化和多功能化的要求越来......
碳化硅（SiC）金属-氧化物-场效应晶体管（MOSFET）是当前主流的功率半导体器件之一,目前仍面临高电场下栅介质层的漏电流及可靠性问题。本......
多铁性材料是一类具有铁电、铁磁和铁弹性两种或者以上的铁性材料。由于具有铁电自发极化特性,多铁材料通常具有铁电光伏效应。众......
电子信息行业发展日新月异,对电子器件的要求也在不断提高,特别是器件小型化和高敏度。传统的栅氧化物在器件发展过程中,不断暴露......
学位
GaAs赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)的关态栅极漏电流取决于温度与电应力环境.研究了高温与电应力对0.25 μm GaAs pHEMT肖特基特......
期刊
随着大规模集成电路VLSI(Very Large Scale Integrated circuits)技术的迅猛发展，半导体器件的特征尺寸遵循着摩尔定律不断地减小，在......
研究和制备多功能性的复合氧化物薄膜，是当今社会发展和科技进步的迫切需要，复合氧化物薄膜结合了不同种材料的功能性，在诸如力、热、......
以Ni-Al为阻挡层,在Si衬底上构架了SrRuO3(SRO)/BiFe0.95Mn...
本文研究了利用旋涂法在硅衬底上制备的聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）和三氟乙烯-偏氟乙烯的共聚物（P（VDF-TrFE））双层复合绝缘膜的漏电机理,采......
基于等离子轰击和射频磁控溅射技术,制备了HfO2/SrTiO3结构的全氧化物场效应晶体管(FET),并研究了其栅极漏电性质。该全氧化物晶体......
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利用脉冲激光沉积技术在Sr Ti O3表面导电层上方制备非晶Hf O2栅介质薄膜,通过磁控溅射技术在非晶Hf O2栅介质薄膜上方制备直径为1......
铁电材料在传感器、驱动器、超声波换能器、谐振器、非挥发性存储器、电容器等各种电子元件方面有着广泛的应用,随着科技的发展,对......
学位
随着大规模集成电路VLSI （Very Large Scale Integrated circuits）技术的迅猛发展，半导体器件的特征尺寸遵循着摩尔定律不断地减小，在......
近年来,原子层沉积技术由于具有精确控制薄膜厚度、台阶覆盖性极好、大面积生长薄膜均匀性非常好、生长温度较低等优点,受到研究人......
立方结构EuTiO3(ETO)是一种在低温条件下同时拥有磁有序和电有序的多铁材料，表现为G型反铁磁序（尼尔温度为5.1K）和量子顺电序（温度70K......
本论文主要研究了高性能复合栅绝缘膜的制备及性能测试。实验中使用具有不同介电常数的两种材料：聚甲基丙烯酸甲酯与偏氟乙烯-三氟......
