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ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,具有直接宽带隙(室温下3.37eV),属于六方纤锌矿结构,在光电、压电及磁电子等诸多领域都具有优......
当今时代,能源消耗与日俱增,对环境的污染也日益加重,人们迫切地需要开发新的能源。作为新能源,与传统的硅太阳能电池相比,钙钛矿......
本论文采用Sol-gel旋涂法，在普通玻璃衬底基底上制备了ZnO纳米薄膜，探究了凝胶的热分解过程、胶体浓度、前热处理温度(PHT)、后热处......
ZnO压敏电阻,以其优良的非线性特性而被广泛的应用于电力电子线路中抑制浪涌电流,普遍认为,其优良的非线性特性是由于在晶界处形成......
SrTiO3作为光催化材料,因其禁带宽度较宽在光催化领域应用有所限制。TiO2是另一种多功能半导体材料,其禁带宽度与SrTiO3相同,其光......
本研究利用溶胶凝胶旋涂法,以醋酸镍为前驱体,在ITO玻璃基板上成功制备了NiO薄膜。并通过掺杂不同的元素制备得到了具有优异电致变......
本文利用sol-gel旋涂法在ITO玻璃衬底上成功制备了氧化镍（Ni O）薄膜。薄膜在550nm处的透过率为83.9%,直接禁带宽度为3.65 eV。XRD分......
