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基于GSMC 0.18um CMOS工艺,设计了一种应用于12位ADC的全差分运算放大器。为了提高增益,在套筒式共源共栅结构上运用了增益提高技......
基于0.18μm CMOS工艺技术,制作了单光子雪崩二极管,可对650~950nm波段的微弱光进行有效探测.该器件采用P~＋/N阱结构,P~＋层深度较深,......
基于标准0.35μm CMOS工艺设计了一种单光子雪崩二极管器件.采用p＋n阱型二极管结构,同时引进保护环与深n阱结构以提高单光子雪崩二......
低压5 V/高压40 V制程广泛应用于LCD栅驱动芯片,LED驱动芯片,智能电表芯片及电源管理等产品的生产。N型埋层（NBL）加上P型外延层（P-EPI......
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基于深亚微米CMOS工艺,设计了一种采用非接触式P阱保护环来抑制边缘击穿的单光子雪崩二极管结构.采用器件仿真软件Silvaco Atlas分......
