氧化铟锌相关论文
21世纪以来,作为平板显示背板的金属氧化物薄膜晶体管(MO-TFT)发展迅猛,其在低成本、高迁移率、大面积均匀性方面有巨大优势。磁控......
非晶态氧化物基薄膜晶体管因其优良的电学和光学性能而备受关注。近年来，由于对低电压驱动器件日益强烈的要求，采用高κ材料作为栅介......
本文研究了热压烧结条件对氧化铟锌（IZO）靶材和薄膜晶体管（TFT）性能的影响。以80％：20％（质量分数比）的ZnOg和In203的混合粉体为原料通过热压......
为了实现氧化物薄膜晶体管(TFT)的低电阻布线,采用Cu作为氧化物TFT的源漏电极。通过优化成膜工艺制备了电阻率低至2.0μΩ·cm......
本文采用钼-铝-钼(Mo/Al/Mo)叠层结构作为源漏电极,制备氧化铟锌(IZO)薄膜晶体管(TFT).研究了Mo/Al/Mo源漏电极中与IZO接触的Mo层......
近年来，氧化物薄膜晶体管（TFT）以其制备温度低，电子迁移率高、透光性能良好等优势在平板显示、电子纸、生物传感等领域具有巨大的潜力......
