垂直腔面发射半导体激光器,是一种新型的半导体激光器,具有阈值电流低,功耗小,效率高,发散角小等优点,在光互连和光信息等领域有广......

采用热封闭系统对850nm氧化物限制型VCSEL的温度特性进行了研究.实验证实该器件在80℃仍能正常工作,在20~80℃的温度区间内,器件的......

设计了一种新结构垂直腔面发射激光器（VCSEL），即采用环形分布孔结构取代以往的环形沟槽结构。由于环形分布孔间形成多个桥，为电注入提......

讨论和研究了氧化时间、氧化温度、氧化载气的气流量三方面对Al0.98Ga0.02As层氧化深度、氧化速率的影响.综合考虑各因素,得到最佳......

在垂直腔面发射激光器(VCSEL)中常用氧化物限制结构来对其进行电流和光场的限制.分别从氧化时间、氧化温度、氧化载气的气流量三方......

研究了AlxGa1-xAs／GaAs材料中高Al组份的AlxGa1-xAs层在400-500℃与水汽发生氧化反应的氧化特性。许多影响因素,如待氧化层厚度、组......

通过对垂直腔面发射激光器（VCSEL）台面结构的深入研究，提出了新型环形分布孔结构。并制作了这种新结构器件。测试结果表明这种新结构......

采用热封闭系统对850nm氧化物限制型VCSEL的温度特性进行了研究．实验证实该器件在80℃仍能正常工作，在20～80℃的温度区间内，器件的斜率......