近年来，三元系AlInN材料作为GaN基材料的一个重要分支，以其无可比拟的优良性质(与GaN晶格完全匹配、带隙可调，变化范围可以从InN的0.7......

自旋电子学作为新兴的研究领域，通过控制电子的自旋取代电子电荷作为信息储存和传输的载体，可以提高自由度同时不受尺寸限制，具有广泛......

随着半导体材料生长技术和器件制备工艺的发展，高亮度发光二极管(HB-LED：High Brightness Light Emitting Diode)也得到快速的发展。......