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本文采用正电子湮没寿命谱和正电子寿命.动量关联谱(AMOC)对不同温度下真空退火以及水蒸气环境下退火的多孔硅样品的微观缺陷结构进行了表征，结合发射光谱测量结果对多孔硅材料的发光机理进行了讨论。
退火对多孔硅材料发光性能的影晌
【摘 要】
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本文采用正电子湮没寿命谱和正电子寿命.动量关联谱(AMOC)对不同温度下真空退火以及水蒸气环境下退火的多孔硅样品的微观缺陷结构进行了表征，结合发射光谱测量结果对多孔硅材
【机 构】
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中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室,北京100049兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室,兰州730000中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室,北京100049兰州大学磁学与磁性材
【出 处】
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第十届全国正电子湮没谱学会议
【发表日期】
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2009年11期
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