横向双扩散金属氧化物半导体相关论文
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学位
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利用二维半导体器件模拟软件MEDICI对LDMOS进行了模拟。采用分段模型计算了器件各部分电阻值和总电阻值，并讨论了电阻值随器件结构......
对功率器件中常用的体连接技术进行了改进，利用一次硼离子注入技术形成体连接。采用与常规1μmSOI（硅-绝缘体）CMOS工艺兼容的工艺流程......
提出部分P/N型埋层（PBPL/PBNL)的高压SOILDMOS结构，并对其进行研究分析。在横向方向，部分硅埋层可以引入额外的电场尖峰，从而改善表面......
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SOI(Silicon On Insulator,绝缘体上硅)高压LDMOS(Lateral Double-diffused Metal Oxide Semicondutor,横向双扩散金属氧化物半导......
