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利用二维半导体器件模拟软件MEDICI对LDMOS进行了模拟。采用分段模型计算了器件各部分电阻值和总电阻值，并讨论了电阻值随器件结构参数以及外加偏压变化的情况，给出了高压LDMOS主要的功耗区及其变化情况。
高压LDMOS功耗的分析
【摘 要】
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利用二维半导体器件模拟软件MEDICI对LDMOS进行了模拟。采用分段模型计算了器件各部分电阻值和总电阻值，并讨论了电阻值随器件结构参数以及外加偏压变化的情况，给出了高压LDMOS
【机 构】
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安徽大学电子科学与技术学院
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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2006年10期
【基金项目】
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国家自然科学基金（60576066）
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