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采用两管模型分析了新型深亚微米SOI推进型栅控混合管的工作机制 ,该器件有效地改善了传统MOS器件中提高速度和降低功耗之间的矛盾......

本文讨论了一种ＳＯＩ退火推进型栅迭混合管的设计与制备。...

本文在分析栅控混合管物理机制的基础上，提出了一种新的计算ＳＯＩ／ＧＣＨＴ集电极电流的解析模型。在同时考虑扩散及漂移电流的基础上，建立了栅控电......

本文分析了ＳＯＩ（ＳｉｌｉｃｏｎｏｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）栅控混合管（ＧＣＨＴ）中硅膜厚度对器件短沟效应，阈值电压，亚阈斜率，零栅压电流的影响，讨论了结构参数，工艺参数对硅膜厚度作用的影响，研......

提出了深亚微米ＳＯＩ ＧＣＨＴ电流模型。不同于普通ＭＯＳＦＥＴ短沟模型的处理，计受栅电压及基极电压同时控制的可动电荷的影响，采用准二维分析及抛物线近似......

本文提出了栅控混合管（ＧＣＨＴ）集电极电流的分区模型。在不同的基极电压范围对器件输出特性进行了讨论，有以前提出的精确全区模型＾［１０］相比，分区模......