深亚微米SOI栅控混合管（GCHT）的准二维电流解析模型

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wuyishijian

【摘要】

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提出了深亚微米ＳＯＩＧＣＨＴ电流模型。不同于普通ＭＯＳＦＥＴ短沟模型的处理，计受栅电压及基极电压同时控制的可动电荷的影响，采用准二维分析及抛物线近似，求出沟道长度及漏端电压对源端表面热的影响

【作者】

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【机构】

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PekingUniv

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

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2000年5期

【关键词】

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提出了深亚微米ＳＯＩＧＣＨＴ电流模型。不同于普通ＭＯＳＦＥＴ短沟模型的处理，计受栅电压及基极电压同时控制的可动电荷的影响，采用准二维分析及抛物线近似，求出沟道长度及漏端电压对源端表面热的影响，较好地反映了电荷共享效应及ＤＩＢＬ效应，并定量计算出与漏电压和栅电压同时相关的动态阈值电压漂移量。

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