杂质浓度分布相关论文
本文介绍了高压大电流晶体管电路外延片制备的主要技术关键,及控制杂质浓度分布、晶格结构完整性、电参数及厚度均匀性、重复性等......
讨论了国产和进口超突变结变容二极管的杂质浓度分布和n值,提出了提高国产超突变结变容二极管性能的措施
The impurity concentra......
采用开管式Al乳胶源涂布与气相Ga相结合的技术,实现了镓铝双质在n型Si中的均匀掺杂,得到了p型半导体.研究了镓铝双质掺杂的方法及......
本文给出了根据ＣＶ数据用数值方法反求杂质浓度的基本算法，并研究了此算法所遇到的不收敛和不确定问题。结果表明，数值ＣＶ方法收敛的本质原......
本文提出了一种适用于集成电路直接驱动的逻辑门极可控硅的设计,该可控硅具有合理的门极结构,精确的长、短基区宽度以及杂质浓度分......
以优化磷在硅中杂质分布的工艺方案为研究对象,通过扩散机理分析和实验研究的方法,对影响磷杂质分布型的关键因子进行理论探讨与实......
基于电容-电压法（简称C-V法）来测量半导体杂质浓度分布,简单快速且不破坏样品。为更快速、精确求得半导体杂质浓度分布,利用Origin软......
本文提出了一种新的减小硅外延自掺杂影响的二步外延方法。利用该方法在均匀的重掺As衬底上外延,以10~(14)～10~(18)/cm~3浓度区域计......
本文采用附面层模型,对硅外延中的自稀释现象作了理论分析,分析了生长速率、气体流速及外延生长温度等因素对自稀释的影响.提出了......
应用C-V法研究了GaN基蓝光LED的PN结特性.通过变温的C-V曲线、相应的C-2-V曲线和C-3-V曲线判断GaN基PN结的结类型,计算杂质浓度分......
半导体器件大部分都是在外延片上制成的,测定外延层纵向浓度分布是否符合设计要求,是一个重要的质量指标。本仪器是应用所谓二次......
为了提高SiGe异质结双极型晶体管（heterojunction bipolar transistors,HBTs）电流增益和特征频率温度热稳定性,首先研究基区杂质浓度......
硅薄层外延是研制ECL超高速电路的关键工艺之一。本文介绍用SiCl_4常规外延系统,在双埋层(As、B)硅衬底上进行薄层生长的主要工艺......
激光诱导扩散是用聚焦的激光束局域加热半导体基片,将杂质以扩散的方式掺入到特定区域并且达到一定要求的一种技术,具有“低温处理......
