无杂质空位扩散相关论文
对晶格与 In P匹配的 In Ga As P超晶格结构外延片 ,运用等离子增强化学气相沉积法镀Si O2 膜 ,随后用碘钨灯快速热退火 ,进行无杂......
报道了采用不同的电介质薄膜 Si O2 、Si Ox Ny、Si3N4 和 Si Ox Py Nz 及其组合用于 In Ga As P/In P多量子阱材料的包封源 .在高......
用离子注入诱导无序(IICD)和无杂质空位扩散诱导无序(IFVD)方法研究了InGaAs(P)/InP量子阱结构的混合造成材料光电特性变化、带隙......
在红光半导体激光器芯片上采用GaAs介质膜进行无杂质空位扩散诱导量子阱混杂研究。激光器芯片的有源区由一个9 nm厚的GaInP量子阱......
报道了使用SiO2介质膜导致的无杂质空位扩散实现InGaAsP多量子阱混杂的实验，得到200nm的最大带隙波长蓝移．另外，采用量子阱混杂制作了......
半导体光集成技术能在同一基片上实现具有多种带隙的有源器件和无源器件的组合,这使其在器件集成占有非常重要的地位。其中量子阱......
在红光半导体激光器芯片上采用Si O2介质膜进行无杂质空位扩散诱导量子阱混杂研究。激光器芯片的有源区是由两个6 nm厚的Ga In P量......
