首次引入复合效应对不同价态差的TCO薄膜的载流子浓度及其迁移率进行了分析.随着掺杂离子与晶格间隙氧离子发生复合的几率的增大,......

本文采用直流反应磁控溅射法金属镶嵌靶In／Mo和In／W制备高价态差掺钼氧化铟(In203：Mo，IMO)和掺钨氧化铟(IN203：W，IWO)透明导电薄膜，研究了......

用反应蒸发法制备的掺钼氧化铟(In2O3:Mo,IMO)薄膜在可见光区域的平均透射率(含1.2 mm厚玻璃基底)超过80%,电阻率最低达1.7×1......

本实用新型是一种用于反应直流磁控溅射法制备掺钼氧化铟（IMO）透明导电氧化物薄膜的铟钼金属镶嵌靶。它由在纯度为99．99％的纯金属铟圆......

虽然采用常规的热反应蒸发法就可以在约350 ℃的玻璃基底上制备出性能优良的In2O3∶Mo(IMO)薄膜,但是随着基底温度的降低,IMO薄膜......

用直流磁控溅射法成功制备了高价态差掺钼氧化铟(IMO)透明导电薄膜.研究了氧分压,基板温度以及溅射电流对IMO薄膜结构和性能的影响......

ＭｏＯ３的饱和蒸气压较高，可以直接用热反应蒸发法制备Ｉｎ２Ｏ３：Ｍｏ（ＩＭＯ）透明导电薄膜。ＸＰＳ和ＸＲＤ测试结果证明，ＩＭＯ薄膜中的Ｍｏ是以Ｍｏ＾６＋离子形式取代了Ｉｎ２Ｏ３晶格中的Ｉｎ＾３＋离子而存在的，没有......

采用van-der-Pauw法、等离子振荡波长法和光谱拟合法等三种方法对IMO(In2O3∶Mo)薄膜和ITO(In2O3∶Sn)薄膜的载流子迁移率进行了测......

本文采用直流磁控反应溅射金属镶嵌靶In/Mo和In/W制备高价态差掺钼氧化铟（In2O3：Mo，IMO）和掺钨氧化铟（In2O3：W，IWO）透明导电薄膜，详细研究了......

在实用的透明导电氧化物(TCO)薄膜中,载流子迁移率主要是受电子与掺杂离子之间散射的限制.如果掺杂离子与氧化物中被替代离子的化......