拉晶相关论文
体微缺陷(BMD)是直拉法制备单晶硅片中最重要的缺陷之一,其密度大小对集成电路的良品率有着重要的影响。本文通过对硅片体微缺陷密......
数值分析结果表明,外加磁场可以改变熔融半导体中的流型,几千高斯的磁场可以显著地减小熔体的流动,但对温度场影响不大。......
讨论了300mm硅单晶的工艺控制，分析了拉晶工艺、热屏及磁场对晶体质量的影响。合理的工艺参数是拉制无位错单晶的前提，热屏和磁场的......
在全自动拉晶条件下，讨论了拉制Φ２００ｍｍ硅单晶遇到的新问题。热场配置、工艺参数的选择、石英坩埚泊选用等有了更严格的要求。合理的轴向......
