恢复电荷相关论文
崭新的碳化硅(SiC)肖特基二极管优于它的竞争者,具有600V的阻断电压;而且没有反向恢复电荷和反向恢复电流。
The new silicon car......
飞兆半导体公司推出具高效率和出色热性能,并有助实现更薄、更轻和更紧凑的电源解决方案的MOSFET产品系列,可应对工业、计算和电信......
基于传统晶闸管单扩散p层杂质浓度分布很难协调阻断电压、通流能力、通态压降、反向恢复电荷和关断时间之间的矛盾,无法使特高压晶......
2014年12月9日,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,发布600V EF系列快速体二极管N沟道功率MOSFET的两款器件——SiHx28N60EF和SiHx3......
采用局域注入p型离子和高温推结的方式得到高掺杂p~+区和低掺杂p~-区规律性的浓度梯度变化,研制了新型低阳极发射效率二极管。与常......
SiC浮动结(floating junction,FJ)SBD相对于常规SiC SBD具有更高的功率优值.本文利用二维数值仿真软件ISE-Dessis仿真研究了4H-SiC......
引言rn在含有功率因数校正(PFC)的升压型变换器(图1)中,通常将一个快速关断二极管用作整流升压之用.这个整流二极管最理想的特性是......
引言rn反并联二极管的正确设计需要考虑各种因素.其中一些与自身技术相关,其它的与应用相关.但是,正向压降Vf、反向恢复电荷Qn以及......
该文分析了大型整流装置的换相过程及换相过电压形成的原因,并提出降低换相过电压、减少换相损耗的方案.......
