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优化设计了电力系统用6.5 kV SiC MOSFET,测得该器件的导通电流为25 A,阻断电压为6 800 V,器件的巴利加优值（BFOM）达到925 MW/cm~2。......
高压直流(HVDC)技术近些年得到了快速的发展,特别是高压直流多终端(MTDC)。作为直流电网故障隔离和清除的重要技术手段,高压直流断......
由于高开关速度和低通态电阻,碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的开关过程易受杂散参数的影响,表现出较强的过电......
在分析500 kV变电站内瞬态电磁干扰特点的基础上,建立了一套能模拟站内开关操作引起的瞬态电磁场的电磁脉冲模拟器,说明了模拟器各......
智能变电站合并单元、智能终端等二次设备位于开关场,容易受到开关操作产生的瞬态电磁骚扰影响,为保障二次系统可靠运行,需要建立......
