绝缘栅极双极晶体管相关论文
许多现代功率MOSFET在5V时达到导通电阻的低值,甚至在栅极到源极电压为5V的情况下也可达到.然而,对于大功率MOSFET,特别是绝缘栅极......
以1GBT模块的内部结构和材料特性为基础，研究了焊料层疲劳、铝键接线断裂或剥离、DCB基片失效等封装级故障产生机理；分析栅氧化层击......
由于IGBT(Insulated gate bipolar transistor)较其它电力电子器件开关频率高、载流容量大、开通损耗小、饱和压降低等优点,已逐渐......
<正>现代汽车生产是高效率、环保型、大规模的流水生产。感应热处理工艺具有加热速度快、节省能源、不氧化脱碳、不污染环境、易于......
提出了一种考虑绝缘栅极双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)基区载流子不同注入条件的物理模型.在小注入和大注......
从IGBT模块的内部结构和故障机理分析,得到影响IGBT模块可靠性的主要因素是温度的结论,而IGBT模块各层的温度是很难用实验的方法测......
开发和利用清洁的风能是我国解决能源和环保问题的重要战略举措之一,但这一进程的落实和规模发展受到风电中变流装置可靠性低的制......
