常关型相关论文
基于GaN材料的高电子迁移率晶体管以其较高的击穿电压、较高的电子迁移率和较大的禁带宽度正成为下一代电力电子功率开关器件的有......
介绍了一种具有高阈值电压和大栅压摆幅的常关型槽栅AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管。采用原子层淀积(ALD)方法实现......
近年来,第三代半导体材料Ga N凭借其禁带宽度大、击穿场强大等优异的材料特性在电力电子等领域中应用广泛。其中,Al Ga N/Ga N异质......
学位
电力电子器件在管理和分配电力和能源方面起到了至关重要的作用，是电力电子系统的核心元件。随着Si器件的发展接近其理论极限，以GaN......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
制造肖特基型Ni/p-GaN/AlGaN/GaN结构的p-GaN栅极器件,并研究该器件在不同温度与正向偏压下的电致发光现象.当栅极偏压大于4 V时,......
介绍了一种具有高阈值电压和大栅压摆幅的常关型槽栅AlGaN／GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管。采用原子层淀积( ALD)方法实现......
介绍了一种具有高阈值电压和大栅压摆幅的常关型槽栅AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管。采用原子层淀积（ALD）方法实现Al......
介绍了一种采用ICP干法刻蚀技术制备的槽栅常关型AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管（MOS-HEMT）。采用原子层淀积（ALD）实现4......
氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的代表,具有优异的材料物理特性,更加适合于下一代电力电子系统对功率开关器件更大功率、更高频......
介绍了一种采用ICP干法刻蚀技术制备的槽栅常关型AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOS-HEMT)。采用原子层淀积(ALD)......
半导体技术近年来发展迅速,传统半导体材料的研究几乎已到达极限,第三代宽禁带半导体如Ga N,Al Ga N等开始展露锋芒。Ga N有着良好......
高性能GaN常关型功率开关器件的实现是目前研究的热点。槽栅结构GaN常关型MOSFET以其栅压摆幅冗余度大、栅极漏电流小等优势受到广......
