多晶锗硅相关论文
采用超高真空气相淀积系统(UHVCVD)制备了多晶锗硅薄膜(poly-Si0.7Ge0.3).研究了它的退火特性和电阻温度特性.将多晶锗硅薄膜电阻......
对微测辐射热计的微桥结构进行了优化设计.采用多晶锗硅Poly-Si0.7Ge0.3薄膜电阻作为微测辐射热计的探测敏感元件,结合微机械加工......
采用自行研制的超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)设备,研究了在550℃下SiO 2薄膜上多晶SiGe成核时间和生长速率与GeH4和B2H6流量的关......
采用超高真空化学气相沉积与金属诱导相结合的方法生长多晶SiGe薄膜。530℃下，金属Ni先与SiGe反应生成Ni硅化物，直至Ni被完全消耗完，......
采用超高真空CVD (UHV/CVD)系统制备了多晶锗硅poly-Si1-xGex薄膜,Raman测试确定了Ge的组份,研究了其电阻温度特性,电阻温度系数TC......
采用金属Ni诱导与超高真空化学气相沉积(UHVCVD)相结合的方法,在热氧化硅衬底上生长了多晶锗硅薄膜.利用X射线衍射(XRD)、场发射扫......
期刊
锗硅(Si1-xGex)是硅和锗通过共价键结合起来的半导体合金材料。在当今以硅基器件为主流的时代，锗硅由于和现有硅集成电路工艺相容，在......
