多层结构薄膜相关论文
本文采用射频磁控溅射法制备了LiNbO_3/Si、LiNbO_3/SiO_2/Si结构薄膜。通过X射线衍射(XRD)、X射线小角衍射、电感耦合等离子体质......
氧化锌（ZnO）作为一种宽禁带Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,通过掺入Ga、Al等ⅢA族元素能在很大程度的提升薄膜的导电性能。ZnO透明导电薄......
ZnO作为直接宽禁带化合物半导体,由于原料丰富、价格低,有望取代GaN应用于短波长光电器件。如果能同时实现掺杂和能带工程,制备p型......
ZnO是II-VI族直接宽禁带化合物半导体材料，在400nm-2μm波长范围内有很高的透光率，是一种新型的透明半导体材料。另外，ZnO还具有成本......
