研制了Ｎ型和Ｐ型二种衬底材料构成的ＰＳ湿敏二极管，在不同湿度下，分别测试其Ｉ－Ｖ特性．结果表明，在一定电压下，无论Ｎ型衬底，还是Ｐ型衬底，其ＰＳ二极管的反向......

应用蒸镀-阳极氧化法制备结构为ITO/PS/p-S i/A l的多孔硅电致发光器件,在7.5V电压下实现了数小时连续电致发光.实验表明,多孔硅电......

在适当条件下氧化多孔硅是提高多孔硅发光强度的良好途径,提出了一种新型阳极氧化方法,并探讨了该方法所涉及的阳极氧化条件.采用......

建立了2×1的表面为Si-OH结构的多孔硅（Porous Silicon，PS）模型，在周期性边界条件下的K空间中，采用基于密度泛函理论广义梯度近似的......

采用阳极氧化方法制备了多孔硅（Ps），经过超声波充分粉碎PS层得到分散的si纳米颗粒（n-Si），利用高速离心旋转方法将n-si镶嵌到多孔氧化铝（Al......

研究了多孔硅(PS)的特性及其在太阳电池上的应用,并对PS太阳电池性能以及由于PS的不稳定性对电池产生的影响进行了研究.实验表明,......

氧化锌(ZnO)是II-VI族直接带隙(3.37eV)半导体氧化物材料，ZnO最显著的特点就是具有高达60meV的激子束缚能，是GaN (25meV)材料的两倍，......

以铜(Cu)作为催化剂,采用两步化学腐蚀法成功制备了微纳米多孔硅(PS)。本文方法成本低廉、操作简易。系统研究了腐蚀液中H2O2浓度......