多孔硅表面Si—OH结构的研究

来源 :四川师范大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：my_sunday_tongxing

【摘要】

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建立了2×1的表面为Si-OH结构的多孔硅（Porous Silicon，PS）模型，在周期性边界条件下的K空间中，采用基于密度泛函理论广义梯度近似的平面波超软赝势方法，对Si-OH结构进行几何结

【作者】

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周明秀杨春郁卫飞李金山

【机构】

：

四川师范大学计算机软件重点实验室,四川师范大学物理与电子工程学院·,固体所,中国工程物理研究院化工材料研究院

【出处】

：

四川师范大学学报(自然科学版)

【发表日期】

：

2006年4期

【关键词】

：

多孔硅(PS) Si-OH 密度泛函表面结构电子密度 Porous silicon（ PS） Si--OH DFT Surface structure El

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建立了2×1的表面为Si-OH结构的多孔硅（Porous Silicon，PS）模型，在周期性边界条件下的K空间中，采用基于密度泛函理论广义梯度近似的平面波超软赝势方法，对Si-OH结构进行几何结构与电子结构的计算研究．通过分析优化后稳定的Si-OH结构，从理论上证实多孔硅的结构是完全不规则的，表面结构中两类Si-O键长值分别介于0．161-0．163nm之间和0．168-0．170nm之间，两类O-H键长值分别为0．097nm和0．098-0．100mn，角∠Si-O-H的值主要分布在109．

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