同质缓冲层相关论文
氧化锌(ZnO)是一种II-VI族直接宽带隙新型半导体,室温禁带宽度约为3.37eV,激子束缚能高达60meV。在大气条件下,ZnO具有六方纤锌矿......
室温下在玻璃基片上用射频磁控溅射法制备了不同厚度的ZnO：Al（AZO）缓冲层，并在该同质缓冲层上溅射生长了AZO薄膜。用XRD测试了薄膜结构......
采用射频磁控溅射法在300℃真空退火处理过的同质缓冲层上制备了不同退火温度下的ZnO薄膜.使用X射线衍射仪（XRD）和光致发光（PL）等表征......
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出了具有不同厚度ITO同质缓冲层的ITO薄膜。利用x射线衍射、半导体特性测试仪、紫外-可见光分......
利用射频磁控溅射技术，在单晶硅村底上生长出高质量（0002）晶面取向的ZnO外延薄膜。通过XRD、AFM、吸收光谱、光致荧光发光谱的实验研......
室温下,采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备具有同质缓冲层的ZnO∶Al（AZO）薄膜。用X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计、四探针探测......
