变温PL光谱相关论文
以GaN为代表的Ⅲ族氮化物材料的禁带宽度覆盖了从红外到深紫外这一重要波段,因此在发光二极管(LED)、激光器(LD)、探测器(PD)、太阳......
用分子束外延在GaAs衬底上生长了ZnCdSe/ZnSe多量子阱结构,利用X射线衍射(XRD)、变温度PL光谱和ps发光衰减等研究了ZnCdSe/ZnSe多量子......
第三代宽禁带半导体的兴起推动了半导体技术的巨大进步,促进了半导体光电器件行业的繁荣发展。相比前两代半导体,第三代半导体的禁......
量子点(QDs)具有窄带隙、可调节发射以及高量子产率等优点,在生物成像、单光子发射器、激光器、光电探测器、发光器件等领域引起人......