半绝缘体相关论文
日本电子技术综合研究所电子器件部研制成一种可发生570毫微微秒极短电脉冲的世界最高速光电开关。这种开关是利用光引起半导体感......
本专利的目的是钝化整堆的金属化球团,以便在装运、储存、处理和运输时能完全清除氧化作用。已发现整堆的金属化球团的导热率约为......
电子计算机日渐普及并从社会步入家庭，经验证明，搞好计算机日常保养工作，可使计算机寿命延长3～5倍，那么如何做好计算机保养呢？温湿度恒定......
采用外耦合电容式射频辉光放电等离子体 CVD 系统,在低于300℃的衬底温度下,制备出了 a—Si(1-x)C_x∶H 钝化膜.对含碳量不同的3种......
本文介绍半绝缘GaAs的补偿模型,讨论国内外的近期实验结果,进而指出:采用液封直接合成工艺,欲用石英坩埚生长未掺杂半绝缘GaAs晶体......
首次观察到与砷反位缺陷As_(Ga)有关的、室温下的0.77 eV光致发光(PL)带.作者发现,电子辐照不能产生EL2,而与As_(Ga).有关的PL带并......
采用外耦合电容式射频辉光放电等离子体 CVD 系统,在低于300℃的衬底温度下,制备出了 a—Si(1-x)C_x∶H 钝化膜.对含碳量不同的3种......
本文用化学反应动力学中的质量作用定律及阿累乌尼斯（Ａｒｒｂｅｎｉｕｓ）定律，对金属氧化物半导体一些统计公式进行了研究，给出了费米（Ｆｅｒｍｉ）函数、氧空位施主浓......
