半导化相关论文
研究了表面掺杂和高温烧结对TiO材料半导体的影响，结果表明：TiO材料在高温条件下可产生间隙离子和氧空位；掺入与T离子半径相近的V，Nb，Sb......
综述了ITO薄膜的半导化机理、应用和制备工艺。ITO薄膜的半导化机制是高价Sn~(4+)替代部分In~(3+)和氧缺位。ITO薄膜主要用于光电......
研究了施主掺杂量，烧成后的冷却条件、氧化温度对SiTiO[*v3*]半导化的影响。施主添加量和高温烧结后冷却时的边界氧化是获得良好性......
研究了表面掺杂和高温烧结对TiO材料半导体的影响，结果表明：TiO材料在高温条件下可产生间隙离子和氧空位；掺入与T离子半径相近的V，Nb，Sb......
纯化学计量比的ＮｉＯ是一种绝缘材料，电阻率高达１０〈’１３〉Ω·ｃｍ，不能直接用来制作感湿材料，当掺入Ｌｉ〈，２〉Ｏ时，可以有效地降低材料的电阻率。该文对掺......
本实验采用传统工艺,以碳酸钡,钛酸锶,二氧化钛,碳酸钠,氧化铋等为原料,制备了无铅高居里点低室温电阻率复合陶瓷。（1）通过在（Ba,Sr）Ti......
研究了表面掺杂和高温烧结对TiO材料半导体的影响，结果表明：TiO材料在高温条件下可产生间隙离子和氧空位；掺入与T离子半径相近的V，Nb，Sb......
研究了TiO2掺杂对SrTiO3电容-压敏双功能陶瓷晶粒生长特性和电性能的作用规律.研究结果表明TiO2添加量较小时瓷体不能实现半导化.......
研究了25%N2+75%H2(体积分数)强还原烧结气氛下施主添加剂Nb2O5、La2O3对SrTiO3双功能陶瓷半导化的作用规律,结果表明随着添加量的......
研究Ta2O6对(Sr,Bi,Si,Ta)掺杂的TiO2基压敏陶瓷半导化的影响,发现随着Ta2O5增加,晶粒电阻呈现"U"字型变化规律,按照配方TiO2+0.3%......
研究了在电化学原子氢作用下绝缘NiZnCu铁氧体陶瓷的电阻和介电性能变化,并研究了电化学原子氢处理所用阴极电流密度(30～120 A·m-2......
介绍了化学沉淀法制备超ＴｉＯ２／Ｎｂ２Ｏ５粉体工艺，应用此粉体制作出了性能优良的陶瓷湿敏元件，并对元件的感湿特性、温度特性、频率特性、响应特性、......
为了改善感湿性能很差的BaTiO3陶瓷的湿敏特性,本文通过PbTiO3与BaTiO3复合,制备了表面为无规则网络状结构、内部具有丰富孔洞通道......
研究了表面掺杂和高温烧结对ＴiO2材料的半导化的影响，结果表明：ＴiO2材料在高温条件下可产生间隙离子和氧空位；掺入与Ｔi^4+离子半径相近的......
本文介绍了一种新型的低压大通流氧化锌压敏电阻器的制造方法，研究了它的导电机理，提出了改进其性能的途径。......
通过固相法制备了施主掺杂的（Ba，Pb）TiO3半导体陶瓷，研究了掺杂对（Ba，Pb）TiO3陶瓷的物理性能、显微结构、电畴结构及半导化机理的影响。结......
采用添加钾锗玻璃和掺ＭｏＯ３的方法，制备了ＫＮｂＯ３半导瓷，在此基础上，对ＫＮｂＯ３半导瓷样品进行了电学性能的测试以及样品断面形貌的扫描电镜观察和分析。结......
讨论集正温、负温或临界热敏感器件于一体的互补型敏感元件的特性分析，并研究其工艺的可行性，提出开发应用的价值及其前景。......
本文提出了一种新型的ＢａＴｉＯ３ＰＴＯＲ材料的制备方法。研究了它的导电机理，给出了材料的组分，工艺条件及主要参数，提出了改进性能的途径。......
研究Ta2O6对(Sr,Bi,Si,Ta)掺杂的TiO2基压敏陶瓷半导化的影响,发现随着Ta2O5增加,晶粒电阻呈现"U"字型变化规律,按照配方TiO2+0.3%......
研究了２５％Ｎ２＋７５％Ｈ２（体积分数）强还原烧结气氛下施主添加剂Ｎｂ２Ｏ５、Ｌａ２Ｏ３对ＳｒＴｉＯ３双功能陶瓷半导化的作用规律，结果表明随着添加量的增大，Ｎｂ２Ｏ５掺杂试样的表观电阻率单调下......
探索了掺微量Al2O3和SiO2的BaTiO3的一次烧结工艺，该工艺有效降低了烧结温度。应用电子探针，光学显微镜，X射线衍射仪，TN－524能谱等设备......
研究了半导化元素和第二相添加剂ＳｉＯ２对ＰＴＣＲ型（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３陶瓷材料电学性能的影响。结果表明，Ｙ和ＳｉＯ２的含量对的半导化性能影响显著，它们的较珠含量（摩尔分数）分......
本文研究了烧结助剂、烧结温度和烧结气氛对SrTiO3压敏陶瓷材料性能的影响.结果表明:在烧结过程中使用Al2O3和H2SiO3作烧结助剂比......
以钛酸钡、二氧化钛、碳酸钠、氧化铋、五氧化二铌等为原料，在实验中碳酸钠，氧化铋在第一次配料中加入量较少的时候，对瓷料的半导化影......
研究了PTCR陶瓷半导化过程.使用sol-gel法合成(Ba0.8Sr0.2)TiO3超细微粉,掺入钇元素及烧结助剂,在合理的温度制度下烧成PTCR陶瓷.......
摘 要 研究微量BaBiO3施主掺杂高温PTC陶瓷以及相关半导化机理，结果表明当BaBiO3为0.3%mol左右时，能够获得良好的电性能。同时它与La......
本文介绍了ＢａＴｉＯ３半导瓷材料ＰＴＣ效应的产生机理，给出了配方、工艺要点及主要特性参数提出了改进性能的途径。......
为提高元件半导化原理并提高元件的氧气灵敏度,对以SrTiO3为基材的样品分别在强还原气体条件和大气条件下的N型电压敏、电容双功能......
研究Nb和La双施主掺杂对SrTiO3陶瓷氧敏性能及半导化的影响,采用固相法合成了La、Nb复合掺杂的钛酸锶Sr1-xLaxTi1-xNbxO3（x=0,0.001......
制备了（1-x）BaTiO3-xCaTiO3（x=0．0～1．0）陶瓷（BCT系）和La掺杂（1-x）BaTiO2-rCaTiO2（x=0．2～0．3）陶瓷（BCTLa系）。研究了BCT系和BCTLa系陶瓷的微观形貌、结......
研究了（Ｓｒ０．４８Ｐｂ０．４８Ｙ０．０３Ｃａ０．０１）ＴｉＯ３基陶瓷的半导化行为。结果表明：ＰｂＯ适当过量有利于半导化。Ｒａｍａｎ光谱，ＡＥＳ分析表明，随着ＳｉＯ２含量的增量，氧空位浓度及Ｔｉ＾３＋浓度增大，ＸＲＤ分析表明，随ＳｉＯ２含量增大......
研究了半导化(Ba0.9Sr0.1)(Ti0.999Nb0.001)O3陶瓷晶粒生长的动力学因子，采用固相反应法工艺制备该陶瓷样品，化学原材料为纯度高于99......
调整 Al_2O_3、SiO_2烧结添加剂比例,采用常规的混合氧化物制备工艺,可使施主钛酸钡陶瓷第二相形成针状或柱状莫来石微晶体。莫来......
采用湿化学工艺在硅衬底上成功地制备了结构致密、均匀且无龟裂的LaxSr1_xTiO3（LSTO）薄膜。金属硝酸盐（或氯化物）的冰醋酸溶液经回流再......
于CMOS与BIOS可能有许多人都搞不清,鉴于此笔者将两者的区别整理如下,希望能对大家有所帮助。 CMOS是英文ComplementaryMetal Oxid......
分别采取四种不同的工艺过程,按照配方TiO2+0.3mol%(SrCO3+Bi2O3+SiO2)+0.075mol%Ta2O5制备四种试样.通过压敏电压、非线性系数、......
基于一次烧结工艺,采用埋烧和裸烧两种方法制备组分相同(Sr,Bi,Si,Ta)掺杂的TiO2陶瓷.通过复阻抗特性、晶粒电阻、晶界电阻、压敏......
本文目的在于研究原料对PTC瓷料性能的影响。研究发现原料产地不同也可能引起PTC瓷料性能的大大不同。这就使这种瓷料的开发利用受......
本文研究了在ABO3钙钛矿型结构氧化物陶瓷中，晶格结构因素半导化的影响。氧缺位和B位离子变价是使ABO3氧化物呈n型导电的原因。A位......
研究了以工业生产中间产物偏钛酸为原料生产ＰＴＣＲ（正温度系数热敏电阻）的一些问题。其中主要包括偏钛酸作为生产ＰＴＣＲ热敏电阻原料的适宜煅烧温......
本文采用固相反应法制备了电阻率小于80kΩ·cm的AZO导电粉，研究了Al2O3的掺杂量和粉体合成温度对AZO电阻率的影响．并将所得的AZ......
