功率MOS器件相关论文
功率MOS器件是功率电路的核心器件，以其优越的性能在很多应用领域逐渐取代了双极型晶体管。在功率电路中，功率MOS器件主要用作开关器......
随着电子技术的发展，电子系统的应用领域越来越广泛，电子设备的种类也越来越多，对电源的要求也更加灵活多样。开关电源核心控制电路的......
根据电路模拟软件PSPICE内建元器件模型 ,建立了功率MOS器件单粒子栅穿效应的等效电路模型和模型参数提取方法 ,对VDMOS器件的单粒......
【摘要】高能粒子进入功率MOS器件后，会引起SEE（Single Event Effect）。本文对功率MOS器件的SEE效应的机理进行了分析，研究了SEE失效敏......
建立了2 5 2 Cf裂片源模拟空间重离子的单粒子烧毁 (SEB)和单粒子栅穿 (SEGR)效应的实验方法和测试装置 ,并利用该装置进行了功率M......
建立了功率ＭＯＳ器件单粒子烧毁，栅穿效应的等效电路模型，介绍了模型参数提取方法。采用ＰＳＰＩＣＥ电路模拟程序，对单粒子烧毁，栅穿效应机理进行了模拟......
根据电路模拟软件ＰＳＰＩＣＥ内建元器件模型，建立了功率ＭＯＳ器件单粒子栅穿效应的等效电路模型和模型参数提取方法，对ＶＤＭＯＳ器件的单粒子栅穿效应机理进行......
对高压ＭＯＳ功率器件的设计而言，结终端结构的设计是至关重要的一环。由于电压不断提高，终端结构亦更加复杂、传统的设计方法已不再适用。......
建立了功率ＭＯＳ器件单粒子栅穿效应的等效电路模型和相应的模型参数提取方法，对ＶＤＭＯＳ器件的单粒子栅穿效应的机理进行了模拟和分析，模拟结果与......
建立了＾２５２Ｃｆ裂片源模拟空间重离子的单粒子烧毁和单粒子栅穿效应的实验方法和测试装置，并利用该装置进行了功率ＭＯＳ场效应晶体管的ＳＥＢ、ＳＥＧＲ效应研究......
研制了功率 MOS器件单粒子烧毁、单粒子栅穿辐照效应实验用的电流测量及电源系统 ,该系统由栅极电源电路、漏极电源电路、漏极 RC......
建立了功率MOS器件单粒子烧毁效应的等效电路模型和相应的参数提取方法，对功率MOS器件的输出特性和单粒子烧毁效应的机理进行了分析......
英飞凌科技推出专用于空间和航空应用而设计的电源开关器件。全新BUY25CSXX系列抗辐射加固型（RH）功率MOS器件拥有较好的性能，可支持面......
本文提出了一个包含锁效应在内的ＩＧＢＴ的静态解析模型，由该模型可清楚地从器件物理角度分析ＩＧＢＴ的静态参数，为改善ＩＧＢＴ的静态特性和进行ＩＧＢＴ的优化设计......
本文以功率MOS器件(IRF440)为例。给出了安全工作区在实际工作条件下的修正步骤及SOA曲线的修正结果。更多还原......
功率MOSFET与IGBT等其他功率MOS器件并行发展，满足了许多应用的需要。在低电压的应用中，相关器件让电源供应器与”DC／DC”转换器能够......
建立了利用252Cf裂片源,模拟空间重离子引起的单粒子烧毁、栅穿效应的实验方法和测试装置,开展了功率MOS器件、IGBT的单粒子烧毁、......
建立了功率MOS器件单粒子栅穿效应的等效电路模型和相应的模型参数提取方法 ,对VDMOS器件的单粒子栅穿效应的机理进行了模拟和分析......
建立了功率ＭＯＳ器件单粒子烧毁效应的等效电路模型和相应的参数提取方法， 对功率ＭＯＳ器件的输出特性和单粒子烧毁效应的机理进行了分析和ＰＳＰＩＣＥ模......
功率MOS是在集成电路工艺基础上发展起来的新一代电力电子开关器件。LDMOS器件和VDMOS器件是功率MOS的典型代表,也是功率集成电路......
将要引起第二次电子革命的智能功率集成电路获得了日益广泛的应用,它的应用范围包括开关电源、电子镇流器、电机驱动、汽车电子和......
高频高压场效应晶体管(LDMOS)是功率MOS器件中同时具有高频高压性能的一种器件,也是目前广泛用于HVIC(高压集成电路)及PIC(功率集......
