功率场效应晶体管相关论文
UPS是保证供电连续性的重要设备，在军事、工业、医疗等诸多领域中有广泛的应用。 本文分析了逆变电路、DC/DC升压变换电路和控制......
分析了开关电源中功率场效应晶种管损坏的主要原因，提出了相应的解决方法。...
给出了基于反馈控制的恒流型电子负裁的结构框图，分析了控制原理，重点介绍了比例积分（PI）调节器参数的工程设计方法。对功率场效应晶体......
介绍一种新型低压平面结构的功率场效应晶体管--条形栅VDMOS.通过与传统的元胞型结构比较,发现条形栅具有导通电阻小、开关速度快......
美国硅通用半导体公司设计的适用于高频功率MOS管驱动的第二代集成电路脉冲宽度控制器SG3525，用于驱动N沟道的功率MOS管。本文将介......
1 装置组成图1是GH公司成套双频感应加热淬火装置结构简图。...
VMOS功率场效应晶体管有两种结构，一种是VVMOS功率场效应晶体管，另一种是VDMOS功率场效应晶体管。VVMOS结构是美国雷达半导体公司在1......
<正>本文就VD-MOS350型功率场效应晶体管的结构及主要技术参数的设计、工艺的设置进行了讨论.作者采用双扩散、离子注入、多晶硅自......
功率场效应晶体管应用广泛,其阈值电压和导通电阻是其重要的参数。针对不同栅氧厚度的产品设计不同的多晶硅厚度实验来寻找最佳工......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
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<正> 一、引言由于 GaAs FET 的基本器件结构和固有的良好线性特性,已经表明把有源元件和无源元件集成在同一晶片上,来实现在微波......
晶圆超薄磨片工艺是为减小功率开关管导通电阻，工艺中存在超薄晶圆磨片后转运过程中破片及超薄晶圆背面蒸镀金属等问题。现有的晶圆......
针对国内外对MOS器件及功率器件的需求,以及VDMOS(即纵向双扩散MOS场效应晶体管,Vertical-Double-Diffused MOSFET的缩写)优良的开......
目前在便携式消费类电子产品中,如笔记本电脑,媒体播放器,数码相机,个人导航装置,卫星无线接收装置,便携式医疗设备和其它锂电池供......
<正>Dash2500监护仪由主机、电池、附件和电源电缆组成,可对成人、儿童和新生儿进行监护。其主要测量患者的生命体征参数,并由打印......
本文设计了一种可用于开关电源的电流限控制模块，介绍了电流限各组成单元模块的原理和电路结构。采用lum700VBCD工艺，内置耐压700V的......
本文对大功率场效应晶体管VDMOS器件的导通电阻与单元结构的参数进行了研究,重点讨论了栅宽、外延层厚度和浓度与导通电阻的关系,......
为了保持高尔夫球场的美观和优雅的环境,要求球场上的动力车具有零污染、低噪声的特点;同时高尔夫球车对汽车动力性能和续驶里程的......
采用自对准和掺杂多晶硅技术制造出了一种具有新结构的垂直沟道结型场效应晶体管。因为很多沟道容易集成在单片上,这种结构适用于......
率场效应晶体管由于具有诸多优点而得到广泛的应用;但它承受短时过载的能力较弱,使其应用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驱动与......
ＩＲ２１１０高压ＭＯＳ栅极驱动器的功能及应用ＦｕｎｃｔｉｏｎｓａｎｄＡｐｐｉｌｃａｔｉｏｎｓｏｆＥＲ２１１０ＨｉｇｈＶｏｌｇａｇｅＭＯＳＧａｔｅＤｒｉｖｅｒ￥／／华中理工大学熊腊森（武汉４３００７４）１前言ＩＲＺｉ１０是ＩＲ（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａ.........
<正>金刚石材料具有高热导率、高击穿场强、高硬度等众多的优异特性,在机械加工、光学系统、核探测器、声表器件、电力电子器件及......
