光致电离截面相关论文
在连续介电模型和有效质量近似下,采用变分法从理论上研究了流体静压力下GaN/AlxGa1-xN核/壳和反核/壳量子点的杂质态和激子态结合......
该文在前人工作的基础上,详细研究了矩形截面GaAs/GaAlAs(x=0.3)量子阱线中的类氢杂质体系的性质,采用变分技术计算了此体系的束缚......
该文在前人工作的基础上,研究了方形截面GaAs/GaAlAs量子线中类氢杂质体系的性质,采用变分技术计算了此体系的束缚能及其光致电离......
利用北京同步辐射装置3W1B光束线产生的单色光作为光源,流气式无窗低压强双电离室作为气体容器,选择氩气作为实验气体,使用合适的......
通过在波函数中考虑量子线的限制方向和非限制方向的相关性，计算了GaAs／Ga1-xAlxAs量子阱线中类氢杂质的束缚能和光致电离截面,结果......
