用分子束外延(MBE)法在GaAs衬底上生长了InGaAs/InAlAs异质结MHEMT材料结构.采用光致发光(PL)谱和Hall测量手段分析了样品光学和电......

通过光致发光光谱,研究了量子限制效应对GaAs 体材料中均匀掺杂和一系列GaAs/ AIAs 多量子阱(阱宽范围从30?到200?) 中d 一掺杂浅......

采用溶胶-凝胶法在玻璃基片上制备了Li、Mg掺杂的ZnO薄膜，研究了薄膜的光致发光（PL）性能。结果表明，由氧缺位引起的深能级发光峰（450～470......

采用磁控溅射技术,以N_2作为p型掺杂源,制备p型N掺杂ZnO薄膜,着重研究了不同掺杂量的N掺杂ZnO薄膜的光学特性。结果表明,掺杂ZnO薄......

通过光致发光光谱，研究了量子限制效应对GaAs体材料中均匀掺杂和-系列GaAs／AlAs多量子阱（阱宽范围从30A到200A）中δ-掺杂浅受主杂质铍（B......

利用射频磁控溅射技术在不同温度的（100）Si和玻璃衬底上成功地制备了c轴择优取向的Mg0．1Zn0．9O薄膜。通过X射线衍射（XRD）、场发射扫描电......

用金属有机物化学气相淀积法（MOCVD）在GaSb衬底上生长InAs/GaSb超晶格,探索了最佳的生长厚度,优化了各种生长参数,并且分析了源流量......

在射频（RF）等离子体辅助分子束外延（MBE）系统中，采用低温缓冲层等一系列生长工艺制备出二维生长模式的GaN材料；通过研究Ⅲ／Ⅴ比的调节对Ga......

利用射频(RF)磁控溅射沉积技术,采用Cu2O陶瓷靶作为溅射靶,在N2和Ar气的混合气氛下制备了Cu2O薄膜。通过改变衬底温度和N2流量,研......

虽然GaN基LED器件研究的不断深入和半导体照明产业蓬勃发展,LED发光效率的进一步提高仍旧是LED产业应用不可忽视的一个障碍。本文......