介电击穿相关论文
电极结构对氧化铝陶瓷介电击穿电压的测试有着重要的影响.笔者对5种常用的电极结构作用下的静电场进行了仿真,并对不同电极结构作......
采用TEA—CO_2激光器,研究了半导体原料 SiCl_4中杂质 PCl_3的激光解离。考察了不同激光诱发技术——红外多光子解离和激光诱发介......
本文对探测和表征现代硅半导体器件工艺中使用的典型介电薄膜局部缺陷的各种分析方法的可能性及局限性进行了综述和比较。具有特殊......
为获得好的抗击穿特性和有效激发,交流电致发光(ac EL)器件需要高电容率,高绝缘强度的薄膜绝缘层。制做绝缘层时,温度、反应气体......
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串联2-2型压电复合材料结构较为简单,它是研究具有复杂连通性压电复合材料的基础。该文从能量的角度推导出串联2-2复合材料中压电陶......
微流控芯片技术是近年来发展起来的一种全新的分析技术,微流控芯片实验室包含多种功能单元以及微通道网络用来完成反应、分离和检测......
PZT95/5铁电陶瓷是爆电换能器件的核心材料,在尖端技术领域有重要的应用。冲击波压缩下PZT95/5铁电陶瓷的电击穿不仅影响爆电换能器......
学位
高压脉冲电场(HPEF)具有能耗低、传递均匀、作用时间短、无污染等特点,利用HPEF可以有效抑制甚至致死害虫和病菌。论文介绍了电穿孔......
介电型电活性聚合物(EAP)驱动器在工作过程中,边界条件及驱动电压的改变经常导致EAP薄膜发生起皱现象以及介电击穿,致使驱动器失去......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
研究了串联2-2型复合材料的介电击穿特性。串联2-2型压电复合材料结构较为简单,它是研究具有复杂连通性压电复合材料的基础。根据能......
研究了LiNbO3单晶周期极化畴结构的制备工艺,讨论了外电场的特性对周期极化过程的影响.在对周期畴制备各工艺步骤进行实验研究的基础......
建立了多层串联PZT95/5爆电换能组件3维数值模型,对固化封装条件下陶瓷介质击穿问题进行了计算分析,计算结果表明:在不改动器件外部......
串联2-2型压电复合材料结构较为简单,它是研究具有复杂连通性压电复合材料的基础。本文从能量的角度推导出串联2-2复合材料中压电陶瓷层上......
采用射频溅射制备BST薄膜,研究了薄膜的介电击穿特性.实验表明,在电压增大到传统击穿电压(电流密度出现瞬时增大时的电压)之前,薄......
ue*M#’#dkB4##8#”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:(100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
学位
六方氮化硼是二维层状绝缘材料,每层原子之间以共价键相连,层与层之间的原子以范德华力相连。这一特有的结构使它有一些极好的物理......
<正>概述2012年初,国内某公司销往国外的产品陆续有出现PTC(Postive Temperature Coefficient正温度系数热敏电阻器)烧毁事件的发......
BST薄膜具有高介电系数、低漏电流密度、居里温度可调以及优异的热释电性能等优点,可被广泛应用于非制冷红外探测器、动态随机存储......
微流控芯片是通过微泵、微阀等结构元件将进样、分离、分析等实验单元集成到一块芯片上的技术。从上世纪90年代开始发展,到如今已经......