Ⅲ-Ⅴ族氮化物相关论文
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Ⅲ-V族氮化物GaN因其具有宽禁带半导体材料的典型优点而在光电器件、光探测器、新颖高性能微电子器件等领域得到广泛的应用,成为目......
Ⅲ-Ⅴ族氮化物GaN、InN、AlN及其合金材料是近年来半导体发光器件研究领域中的热点，其中一个十分重要的课题就是纤锌矿结构混日InGa......
在近几十年来，由于宽带隙Ⅲ-Ⅴ族氮化物量子受限结构(量子阱、量子线、量子点)在光发射和光吸收等光电子应用器件方面有着广阔的应......
作为第三代半导体材料,Ⅲ-Ⅴ族氮化物（AlN、GaN、InN、BN）及其混晶因其在微电子、光伏器件、自旋电子等领域有着广阔的应用前景,引起......
