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Ⅲ族氮化物(Ⅲ-Nitrides)半导体材料由AlN、GaN、InN以及它们的三元或者四元合金化合物所组成。AlN、GaN、InN均为直接带隙材料,带......
AlGaN/GaN宽禁带半导体异质结构体系是目前发展高温、高频、大功率电子器件的最重要也是最基本的结构,深受国际上的关注。因此,AlGaN......
Ⅲ族氮化物材料物理和器件物理的研究,在制备高功率蓝光、白光和紫外光发光二极管(LED),短波长激光器,紫外光探测器及高温电子器件等......
本论文以GaN基Ⅲ族氮化物半导体材料的结构特性分析和磁学改性为主要研究内容,结合北京大学物理学院核固体物理课题组与比利时鲁汶......