δ-掺杂相关论文
自旋电子学研究如何利用半导体中的电子的自旋来存储和传递信息，并结合半导体微电子工艺开发新一代自旋电子器件。由于基于电荷的传......
从实验和理论上，研究了量子限制效应对GaAs／AlAs多量子阱中受主对重空穴束缚能的影响。实验中所用的样品是通过分子束外延生长的一系......
通过在半导体异质结上的上下表面沉积两条平行的铁磁条带可获得一个巨磁阻器件.为了更好地调控其性能,我们从理论上研究了在该器件......
三个具有不同量子阱宽度的GaAs/AlAs多量子阱结构样品通过分子束外延生长设备生长在半绝缘的(100)p-型GaAs衬底上,并且在量子阱层......
在15 nm GaAs/5 nm AlAs单量子阱的GaAs阱层中间,分别进行不同浓度剂量的铍受主的δ-掺杂。铍受主在量子阱层中的扩散浓度分布,由......
沟道δ－形掺杂对于改善极小尺寸ＭＯＳＦＥＴ性能、提高可靠性其重要。利用能量输出模型，报道了沟道δ－形掺杂分布对０．１μｍ沟长ＮＭＯＳＦＥＴ结构特性的影响。......
太赫兹(THz)辐射波具有很多极其优越的特性,在基础科学研究和实际应用等众多领域具有重要的学术和应用价值,对THz辐射源的研究受到......
量子限制杂质远红外发光器是种全新的器件,它可以发射波长在太赫兹区域,是目前远红外发光材料和器件研究的一个热点。本文围绕远红......
