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[会议论文] 作者：Tianzhuo Zhan,Yibin Xu,Masahiro Goto,Yoshihisa Tanaka,Ryozo Kato,Michiko Sasaki,
来源：The 6th International Conference on Nanoscience and Technolo 年份：2015
Amorphous Ge(a-Ge),crystalline Ge(c-Ge),and amorphous Si(a-Si)thin films were deposited on a Ge substrate...
[会议论文] 作者：Brian Phelan,Alan Bixler GE,
来源：2007年度火力发电厂锅炉优化燃烧与辅机节能技术交流会 年份：2007
GE 能源集团环境服务部门多年来成功地应用低频、高能声波清灰系统提高电除尘器、NOx SCR和锅炉的运行效果、可靠性和效率.作为传统清灰方法的替代技术,声波清灰效果更明显,...
[会议论文] 作者：王楠,丛慧,薛春来,王启明,
来源：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会 年份：2017
通过向Ge中引入Sn形成Ge1-xSnx合金,可以使其能带结构向直接带隙转变,且与CMOS工艺兼容,是实现硅基光源最具有可行性的方案之一,具有重要的科学研究价值.在本文中,使用MBE在Si(001)衬底上外延生长了...10个周期的Ge/Ge0.9Sn0.1/Ge量子阱结构,测试表明材料具有良好的晶格质量,观测到了明显的直接带隙发光,其光致发光(PL)谱的峰值位置在2043nm处,为进一步实现硅基激光器...
[会议论文] 作者：,
来源：燃煤电厂深度节水及优选废(污)水零排放技术路线交流研讨会 年份：2016
在全球,超过30万GE员工在175个国家工作.作为一家世界性的数字化工业公司,GE致力于通过互联的、快速响应的及具有前瞻性的软件定义设备和解决方案来推动工业变革.通过全球知识交换系统——"GE商店"让所有业务共享技术...、市场、结构与智力,每项发明都推动跨界创新应用.凭借着人才、服务、技术及规模上的优势,GE能为客户提供更优质的产品和服务.GE环保部在空气污染治理和碳捕捉领域占有全球领先地位，产品线覆...
Allo-Ge Captured by Chemical Oxidation of Li7Ge12 and Its Electrochemical Performance as Anode Mater
[会议论文] 作者：Sheng-Ping Guo,Thomas E F(a)ssler,
来源：2014年全国博士后新材料技术与应用学术论坛 年份：2014
Allo-Ge, a rarely investigated Ge allotrope, can be obtained using various aromatic hydrocarbons (AHC...) in protic solvent tetrahydrofurane (THF) to oxidize Li7Ge12, and the oxidation potential of Li7Ge...
[会议论文] 作者：郭翠萍,邹磊,李长荣,杜振民,
来源：第十七届全国相图学术会议暨相图与材料设计国际研讨会 年份：2015
The Ag-Cu-Ge system was modeled using the CALPHAD (CALculation of PHAse Diagram) technique.Solution phases..., liquid, fcc and hcp in the Ag-Cu-Ge ternary system, was modeled as (Ag, Cu,Ge) using the sub...
[会议论文] 作者：J.L.Zhang,H.Q.Yuan,L.Jiao,Y.Chen,Z.F.Weng,C.Y.Guo,Y.Grin,F.Steglich,M.Nicklas,R.Gumeniuk,W.Schnelle,A.Leithe-Jasper,
来源：中国物理学会2013年秋季学术会议 年份：2013
We performed London penetration depth measurements on the high quality single crystal LaPt4Ge12 at...the same experimental condition as for PrPt4Ge12....
[会议论文] 作者：J.L.Zhang,Y.Grin,F.Steglich,H.Q.Yuan,L.Jiao,Y.Chen,M.Nicklas,R.Gumeniuk,Z.F.Weng,C.Y.Guo,W.Schnelle,A.Leithe-Jasper,
来源：中国物理学会2013年秋季学术会议 年份：2013
We performed London penetration depth measurements on the high quality single crystal LaPt4Ge12 at the...same experimental condition as for PrPt4Ge12....
[会议论文] 作者：何巍,陆书龙,江德生,董建荣,杨辉,
来源：第十三届全国固体薄膜学术会议 年份：2012
本文利用光荧光(PL)和拉曼(Raman)研究了Ge衬底上生长的掺硅GaInP 的光学性质.实验发现,1.4Ev处的宽发光峰的强度与是否掺硅有关,我们认为它由[Ge(Ga,In)-V(Ga,In)]络合物引起....同时,Raman 光谱证实掺硅GaInP 中存在[Ge(Ga,In)-Si(Ga,In)]络合物....[Ge(Ga,In)-V(Ga,In)]与[Ge(Ga,In)-Si(Ga,In)]络合物之...
[会议论文] 作者：Cheng Li,
来源：2015 Shanghai Thin Film Conference(2015上海薄膜国际会议) 年份：2015
Ge has been considered as one of the promising channel materials to repalace Si,for scaled devices...
[会议论文] 作者：刘坚风,
来源：清洁高效燃煤发电技术协作网2007年会 年份：2007
本文介绍IGCC提供了洁净煤发电解决方案，IGCC清洁的设计，GE气化技术适用于中国市场，GE气化炉型，GE IGCC燃汽轮机十年发展规划。...
[会议论文] 作者：戴显英,宁静,付毅初,王宗伟,宋建军,张鹤呜,郝跃,王琳,王晓晨,查冬,李志,
来源：第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2011
基于kp微扰理论，通过引入应变哈密顿微扰项，推导建立了双轴应变Ge(100)价带色散关系模型。模型适于任意晶向弛豫Si1-xGex虚衬底上的应变Ge，通过该模型可获得任意K方向应变Ge...
[会议论文] 作者：HaibeiWang;KaixiJiang;BangshengZhang;SanpingLiu;LeiZhang;,
来源：第五届国际湿法冶金学术会议(5th International Conference on Hydrometallurg 年份：2009
This paper summarized the status of recovery of Ga and Ge from zinc process in China.The extraction...rates of Ga and Ge are very low.The main reason is that...
[会议论文] 作者：宋禹忻,王庶民,陈其苗,张振普,王朋,岳丽,刘娟娟,芦鹏飞,李耀耀,龚谦,
来源：第十一届全国分子束外延学术会议 年份：2015
理论上证明1.4％的二轴应变能使Ge体材料转变为直接带隙半导体[1],同时张应变还能显著的提高Ge的载流子迁移率,且同为Ⅳ族的Ge与Si基CMOS工艺兼容,以上特性使得张应变Ge成为构...
[会议论文] 作者：杨悦昆,宋禹忻,朱忠赟珅,张振普,薛忠营,张苗,王庶民,狄增峰,
来源：第十二届全国分子束外延学术会议 年份：2017
在Ge(110)衬底CVD生长的石墨烯上，利用分子束外延技术(MBE)获得了Ge-Graphene-Ge的异质结构，通过原位反射高能电子衍射(RHEED)实时监控外延生长过程和晶体属性，使用扫描电子显微镜...开始时可同时观测到石墨烯和Ge的图形，随着Ge外延层不断变厚，石墨烯信号逐渐减弱至25分钟时基本完全消失，最终呈现点状与环状共存的形态表明多晶与单...
[会议论文] 作者：李成,吴政,黄巍,
来源：第十三届全国固体薄膜学术会议 年份：2012
Ge 表面具有高的表面态，当Ge与金属接触时存在强烈的费米钉扎效应，电子的势垒高度被钉扎在0.6eV 附近，严重影响器件的性能.我们研究了TaN 薄膜与Ge 接触界面特性，发现薄的TaN可有效减轻费米钉扎效应...，降低金属与n-Ge 接触的势垒高度.基于势垒高度的调制，制备出具有较低接触电阻的Al/TaN 与n-Ge 的欧姆接触.最后，将Al/TaN 叠层电极结构用于Si基Ge PIN 探测器，其暗电...
[会议论文] 作者：黄志伟,易孝辉,毛亦琛,林光杨,李成,陈松岩,黄魏,汪建元,
来源：第十一届全国硅基光电子材料及器件研讨会 年份：2016
由于Si 和Ge 有着高达4.2％的晶格失配度,在Si 衬底上外延低位错密度的Ge 仍然是一个很大的挑战.为了在Si 衬底上异质外延出高质量的Ge 层,文献报道了许多方法和技术[1-3],其中低温Ge...缓冲层技术由于工艺简单,过渡层薄,材料表面平整,成为目前Si 基Ge 材料生长的主要方法.然而基于低温Ge 缓冲层外延的Si 基Ge 材料的位错密度仍然偏高,传统的循环退火过程虽然可以减小位错,但会...
[会议论文] 作者：李龙;,
来源：第十八届中国科协年会 年份：2016
GE 公司每年在航空发动机研发上投入的经费约十亿,如何将投资收益最大化,GE 公司想到了将航空发动机改型成船舶和工业燃机这一办法.GE 公司航空改型燃机继承航空发动机的...
[会议论文] 作者：雷卉[1]张永[2]周通[1]吴珊[1]钟振扬[1],
来源：第十届全国分子束外延学术会议 年份：2013
随着Si集成技术的发展,与之相匹配的Ge量子点因其在器件中的潜在应用价值而被广泛研究.控制Ge量子点的大小以及成核位置,有助于更加全面地研究Ge量子点.近些年,图形衬底上Ge...
[会议论文] 作者：雷卉,张永,周通,吴珊,钟振扬,
来源：第十届全国分子束外延学术会议 年份：2013
随着Si集成技术的发展,与之相匹配的Ge量子点因其在器件中的潜在应用价值而被广泛研究.控制Ge量子点的大小以及成核位置,有助于更加全面地研究Ge量子点.近些年,图形衬底上Ge...
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