【摘 要】
：
随着Si集成技术的发展,与之相匹配的Ge量子点因其在器件中的潜在应用价值而被广泛研究.控制Ge量子点的大小以及成核位置,有助于更加全面地研究Ge量子点.近些年,图形衬底上Ge
【机 构】
：
表面物理国家重点实验室,复旦大学,200433上海武汉光电国家实验室,华中科技大学,430074武汉
论文部分内容阅读
随着Si集成技术的发展,与之相匹配的Ge量子点因其在器件中的潜在应用价值而被广泛研究.控制Ge量子点的大小以及成核位置,有助于更加全面地研究Ge量子点.近些年,图形衬底上Ge量子点的可控生长有了重要进展.在本文中,主要研究了图形化Si衬底上Ge量子点分子的生长.图形化Si衬底可采用纳米球刻蚀技术或电子束曝光等方法制得.最终在Si衬底上得到了底部有四个尖角的坑.在Ge的生长过程中,Ge原子优先在坑底部的四个尖角处聚集成核并生长成Ge岛.因此,每个坑内都生长有四个Ge量子点,组成Ge量子点分子.而这样的量子点分子将为量子点耦合方面的研究以及新型器件的设计等方面带来广阔的应用前景.
其他文献
建立了离子色谱法对液体炸药爆炸尘土中肼离子的检测方法.尘土样品使用去离子水超声提取肼离子,离心后取上清液分别过OnGuard RP小柱和0.22 mm过滤膜净化,经IonPacCS-12A
柱后电化学衍生技术目前较多地应用于以反相键合相色谱为主的液相色谱系统中。由于液相色谱使用的流动相具有较窄的pH范围和较高比例的有机试剂含量，液相色谱和电化学衍生
Ag/Si体系作为一种重要的金属/半导体界面体系,一直受到科学工作者的关注.近年来,石墨烯、硅烯等二维材料因其新奇优异的物理特性和巨大的应用前景,引起了人们极大的研究兴趣
本论文InAs/GaSb超晶格在GaSb(001)衬底上生长,设备采用Gen-II分子束外延(MBE)设备.Sb2和As2是裂解炉,Ga和In由SUMO源炉提供.中波InAs/GaSb超晶格每个周期的InAs与GaSb的厚度
本文通过用锗硅虚拟衬底调节硅应变的方法，来研究应变对于硅基磁性半导体表面形貌和结构影响。本文首先在硅衬底用分子束外延(MBE)技术制备了锗硅虚拟衬底，方法是:先在450℃生
新一代高速光通信网络的城/局域网迫切需要低成本、低功耗、高性能长波长半导体激光发射光源.可是,目前市场上主流的光通信用长波长半导体激光光源,例如InP基1.3微米量子阱激
分子束外延是制备高质量二维材料常用的方法，但是目前用MBE法制备石墨烯的报道还非常少。Fumihiko Maeda等曾尝试用气态MBE在绝缘衬底上直接生长石墨烯，由于没有金属催化，质量比
随着集成电路技术步入纳米级,一系列由于沟道微尺寸而引发的效应将影响晶体管性能.迁移率退化是其中最为严重的效应之一.本论文工作讨论了在InAIP虚拟衬底上生长张应变Ge，通过