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在Ge衬底生长的掺硅GaInP中Ge基络合物的光学性质研究

来源 :第十三届全国固体薄膜学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zqtoo

【摘 要】

：

本文利用光荧光(PL)和拉曼(Raman)研究了Ge衬底上生长的掺硅GaInP 的光学性质.实验发现,1.4Ev处的宽发光峰的强度与是否掺硅有关,我们认为它由[Ge(Ga,In)-V(Ga,In)]络合物引起.同时,Raman 光谱证实掺硅GaInP 中存在[Ge(Ga,In)-Si(Ga,In)]络合物.[Ge(Ga,In)-V(Ga,In)]与[Ge(Ga,In)-Si(Ga,In)]络合物之

【作 者】

：

何巍 陆书龙 江德生 董建荣 杨辉 

【机 构】

：

中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室 苏州 215123;中国科学院研究生院 北京 100049;中国科学院半导体研究所 北京 100083

【出 处】

：

第十三届全国固体薄膜学术会议

【发表日期】

：

2012年5期

【关键词】

：

GaInP/Ge Ge基络合物 PL Raman 

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　　本文利用光荧光(PL)和拉曼(Raman)研究了Ge衬底上生长的掺硅GaInP 的光学性质.实验发现,1.4Ev处的宽发光峰的强度与是否掺硅有关,我们认为它由[Ge(Ga,In)-V(Ga,In)]络合物引起.同时,Raman 光谱证实掺硅GaInP 中存在[Ge(Ga,In)-Si(Ga,In)]络合物.[Ge(Ga,In)-V(Ga,In)]与[Ge(Ga,In)-Si(Ga,In)]络合物之间的竞争关系合理解释了随温度升高,宽发光峰蓝移的现象.

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