搜索筛选:
搜索耗时3.4394秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 8 篇相符的论文内容
发布年度:
[会议论文] 作者：Hui Xie,Youwen Zhao,Zhiyuan Dong,Jun Yang,
来源：第六届国际氧化锌及相关材料研讨会 年份：2010
...
[会议论文] 作者：Kewei Cao,Youwen Zhao,Zhiyuan Dong,Feng Hui,曹可慰,赵有文,董志远,惠峰,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
随着高效多结太阳电池制造工艺的日益成熟和商业化应用，对制造电池所用的Ge单晶衬底质量要求日益提高。本文对VGF法生长的4寸Ge单晶衬底进行了电学性能、杂质含量、残余应...
[会议论文] 作者：Kewei Cao,曹可慰,Youwen Zhao,赵有文,Zhiyuan Dong,董志远,Feng Hui,惠峰,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
随着高效多结太阳电池制造工艺的日益成熟和商业化应用，对制造电池所用的Ge单晶衬底质量要求日益提高。本文对VGF法生长的4寸Ge单晶衬底进行了电学性能、杂质含量、残余应力以及晶格完整性等检测分析，并与LEC法生长的低位错Ge单晶衬底的结果进行了比较，分析了4寸Ge......
[会议论文] 作者：Jingming Liu,Youwen Zhao,Fenghua Wang,Fengyun Yang,刘京明,赵有文,王凤华,杨凤云,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
受抛光过程和环境沾污的影响,InP单晶衬底表面含有过高浓度的残留硅杂质。在外延器件中,硅杂质作为浅施主会在界面处形成n型导电层,增加器件的寄生电容,从而降低了器件运...
[会议论文] 作者：Jingming Liu,刘京明,Youwen Zhao,赵有文,Fenghua Wang,王凤华,Fengyun Yang,杨凤云,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
受抛光过程和环境沾污的影响,InP单晶衬底表面含有过高浓度的残留硅杂质。在外延器件中,硅杂质作为浅施主会在界面处形成n型导电层,增加器件的寄生电容,从而降低了器件运行速率。为进步提高半绝缘InP基器件的性能要求降低其表面的残留硅杂质浓度。通过对半绝缘I......
[会议论文] 作者：Manlong Duan,Youwen Zhao,Jun Yang,Gang Liu,Fenghua Wang,Yang Fengyun,Wei Lu,Zhiyuan Dong,Jun Wang,段满龙,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
GaSb材料在制作长波长光纤通信器件、红外探测器和热光伏器件方面表现出了极大的潜力和良好的发展前景。本文报道了大直径(最大直径5英寸)GaSb单晶液封直拉法(LEc)生长结...
[会议论文] 作者：Manlong Duan,段满龙,赵有文,Youwen Zhao,Jun Yang,杨俊,Gang Liu,刘刚,Fenghua Wang,王凤华,Yang Fengyun,杨凤云,Wei Lu,卢伟,,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
GaSb材料在制作长波长光纤通信器件、红外探测器和热光伏器件方面表现出了极大的潜力和良好的发展前景。本文报道了大直径(最大直径5英寸)GaSb单晶液封直拉法(LEc)生长结果，所生长的单晶材料具有低位错密度(位错腐蚀坑密度低于3000cm-2)和优良的电学性能，获得了良......
[会议论文] 作者：赵有文,Youwen Zhao,Manlong Duan,段满龙,Zhiyuan Dong,董志远,Jun Yang,杨俊,Jun Wang,王俊,Liu Gang,刘刚,Fengyun Yang,杨凤云,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
随着新型光电子、红外探测器、毫米波器件等制造技术的快速发展,对标准尺寸的高质量InP,GaSb和InAs单晶衬底的市场需求不断增加。本文介绍了采用液封直拉法批量生长直径2-4英寸的InP、GaSb和InAs单晶以及单晶衬底制备技术的一些最新进展。通过热场优化、控制化......
相关搜索：
